往事並不如煙——1919年9月2日,中國物理學家、科學院院士黃昆出生

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各位朋友,今天是2019年9月2日,星期一,農曆己亥年八月初四。

「以人為鏡,可以明得失;以史為鏡,可以知興替。回望歷史上的今天,有些人不該被忘記,有些事不該被抹殺。歲月更替,時序推移,他們終將留在我們的記憶中。」一起來關注歷史上的今天有哪些精選大事 。

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黃昆簡介

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1919年9月2日,黃昆出生於北京,黃昆小學就讀於北師大附小、上海光華小學,中學在燕大附中、北京通縣潞河中學度過。他從小聰明好學,學習成績優異,高中三年成績始終是全班第一。

1937年,黃昆考入燕京大學物理系。在大學期間,他對世界新興的量子力學痴迷,完成了《海森堡和薛定鍔量子力學理論的等價性》論文。

1956年,黃昆在北京大學物理系任教授期間,參與創建了中國第一個半導體物理專業,著有《固體物理學》教材。

主要成就

黃昆完成了兩項開拓性的學術貢獻。一項是提出著名的"黃方程"和"聲子極化激元"概念,另一項是與後來成為他妻子的里斯共同提出的"黃-里斯理論"。提出固體中雜質缺陷導致X射線漫散射的理論,被稱為"黃散射",與里斯共同提出了多聲子的輻射和無輻射躍遷的量子理論;同期佩卡爾發表了相平行的理論,被國際上稱為"黃-佩卡爾理論"或"黃-里斯理論";提出了晶體中聲子與電磁波的耦合振蕩模式,當時提出的方程,被稱為"黃方程";研究半導體量子阱超晶格物理。建立超晶格光學振動的理論,發表了後來被國際物理學界稱為"黃-朱模型"的理論。

黃昆詳細分析了Ⅲ-Ⅴ族化合物的量子阱和超晶格的空穴帶的電子狀態,發展了一種適用於超晶格結構的簡單有效的計算方法,從而對量子阱和超晶格結構中空穴子帶的性質、價帶雜化和外加電場等對量子阱和超晶格中激子吸收的影響做了理論計算。他和學生系統研究了超晶格中的長波光學振動模式,他們提出了一個能描述迄今了解的實驗事實的理論模型,得到了在一維和二維的量子系統中縱向光學振動和橫向光學振動的類體模的正確描述。他們的這項工作對理解半導體超晶格的光學性質、光散射效應、電子和格波的相互作用起到了重要作用。

人物評價

黃昆先生最重要的貢獻就是創辦五校聯合半導體專門化,為國家的半導體科技事業培養了一批又一批棟樑英才,為創建和發展中國半導體科技和教育事業、從無到有地建立和發展半導體工業體系起到了開拓性作用。他所倡導的自力更生、團結協作、以及多方爭取教育資源等先進的教育思想永遠值得我們學習和發揚。

後世紀念:

2006年12月15日,由北京大學物理學院、北京大學微電子研究所、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室聯合主辦的黃昆先生銅像落成儀式在北京大學物理大樓舉行,相關領導和其親屬等一起為銅像揭幕。

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圖文:孟田

排版:胡瀟雨

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