来源：华夏经纬网
参考消息网12月25日据台湾“中央社”报道，台积电发出活动通知，预计12月29日在台南科学园区的芯片18厂新建工程基地，举行3纳米量产暨扩厂典礼，届时将有上梁仪式。
报道称，相较于5纳米，台积电3纳米制程技术的逻辑密度将增加70%，在相同功耗下速度提升10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。据预期，苹果及英特尔等客户都将采用台积电3纳米制程。
据悉，台积电的南科芯片18厂是5纳米及3纳米的生产基地，其中，芯片18厂5期至9期厂房是3纳米生产基地。
报道称，相较于对手三星于今年6月30日抢先宣布3纳米全环绕栅极(GAA)技术量产，并于7月25日在韩国京畿道华城厂区内举行盛大的3纳米GAA芯片产品出厂纪念活动，台积电3纳米量产时间晚了近半年。
台积电美国亚利桑那州厂第一期工程，预计2024年量产4纳米;第二期工程开始兴建，预计2026年生产3纳米制程，两期工程总投资金额约400亿美元，两期工程完工后合计将年产超过60万片芯片。
面对台积电扩大美国投资，派工程师赴美支援，引发“去台化”、“掏空台湾”疑虑。报道形容，台积电南科3纳米量产是“罕见以实际行动宣示持续深耕台湾的决心，化解外界疑虑”。
