台積電「罕見大動作」 月底將辦3納米量產典禮

來源：華夏經緯網

參考消息網12月25日據台灣「中央社」報道，台積電發出活動通知，預計12月29日在台南科學園區的芯片18廠新建工程基地，舉行3納米量產暨擴廠典禮，屆時將有上樑儀式。

報道稱，相較於5納米，台積電3納米製程技術的邏輯密度將增加70%，在相同功耗下速度提升10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。據預期，蘋果及英特爾等客戶都將採用台積電3納米製程。

據悉，台積電的南科芯片18廠是5納米及3納米的生產基地，其中，芯片18廠5期至9期廠房是3納米生產基地。

報道稱，相較於對手三星於今年6月30日搶先宣布3納米全環繞柵極(GAA)技術量產，並於7月25日在韓國京畿道華城廠區內舉行盛大的3納米GAA芯片產品出廠紀念活動，台積電3納米量產時間晚了近半年。

台積電美國亞利桑那州廠第一期工程，預計2024年量產4納米;第二期工程開始興建，預計2026年生產3納米製程，兩期工程總投資金額約400億美元，兩期工程完工後合計將年產超過60萬片芯片。

面對台積電擴大美國投資，派工程師赴美支援，引發「去台化」、「掏空台灣」疑慮。報道形容，台積電南科3納米量產是「罕見以實際行動宣示持續深耕台灣的決心，化解外界疑慮」。