IT之家 7 月 19 日消息，中國科學院微電子研究所今日發文，微電子所劉明院士團隊提出了一種基於 TiN/ TiOxNy / TiOx / NbOx / Ru 結構的非細絲型自選通阻變存儲器，並在 16 層三維垂直結構上實現。
據介紹，該存儲器實現了 50 倍開態電流密度的提升，並達到了高非線性（>5000）。TiOx 內部峰狀勢壘的形成有效提升了器件的非線性。第一性原理計算結果表明 Nb2O5 的氧空位聚合能為正值，這表明氧空位不容易發生聚集，器件可在較高電流下工作而不會發生擊穿，從而實現高電流密度。
中國科學院微電子研究所表示，由於電流的提升，該器件的讀延遲縮短至 18ns。該工作為實現具有高速、高密度的 3D VRRAM 提供了可能途徑。
IT之家查詢獲悉，該成果以題為「16-layer 3D Vertical RRAM with Low Read Latency (18ns), High Nonlinearity (>5000) and Ultra-low Leakage Current (~pA) Self-Selective Cells」入選 2023 VLSI。微電子所博士生丁亞欣為第一作者，微電子所羅慶研究員和華中科技大學薛堪豪教授為通訊作者。
